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模拟电路设计系列讲座十九:MOSFET失效机制

静电放电是指产品在制造、运输与安装过程中,如果处理不当,产品会受到静电放电或者浪涌电压的冲击,从而造成产品的损伤或者破坏。
2019-05-20

一文读懂mosfet与igbt的区别在哪

由于<span class="highlight">MOSFET</span>的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强...

三分钟读懂超级结MOSFET

基于超级结技术的功率<span class="highlight">MOSFET</span>已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少...
2017-08-03

IGBT浅析,IGBT的结构与工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式...

功率MOSFET基本系列——理解超级结技术

基于超级结技术的功率<span class="highlight">MOSFET</span>已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少...

单芯片移动电源更加智能一体化解决方案

自智能手机问世起,移动电源也一直亦步亦趋地跟随发展,从最初的单一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片还有到现在一体化的单芯片方案。本方案采用目...
2016-01-12

为功率因数校正应用选择合适的MOSFET

Vishay Siliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算、消费及照明市场的高压<span class="highlight">MOSFET</span>(HVM)。我们拥有电压范围...

有刷直流栅极驱动器的演变

回望在电子产品领域奋战的20年,我们已走过了漫漫长路。2015年正发布的组件具有无与伦比的精细度和集成度。处理器速度更快,发光二极管(LED)亮度更...

模块电源的散热应对措施

关于模块电源,其超高的功率密度一直被设计者们称道。但实现超高功率的同时,散热性能差的缺点也暴露出来,设计者们虽然能够对一些特定的设计进行改进...

基于MPS芯片的系统电源解决方案

隔离电源模块可以高效解决各种端口干扰,开关芯片转换出各种系统所需电压,LDO给MCU处理器提供稳定可靠的电能。电源模块与芯片方案需要互助互补,各取...
2015-08-14

微电子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展

近日,中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)碳化硅电力电子器件研究团队在SiC <span class="highlight">MOSFET</span>器件...
2015-05-06

几种主流MOSFET驱动电路的分析

开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点,应用已越来越普及。<span class="highlight">MOSFET</span>由于开关速度快、易并联、所需驱动功...
2015-04-01

封装寄生电感是否会影响MOSFET性能?

高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求,越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件,举例来说,降低器件的寄生电容...
2014-12-17

MOSFET选择策略详解

相比同等<span class="highlight">MOSFET</span>,IGBT具有较低的箝位能力。在IGBT和<span class="highlight">MOSFET</span>之间选...

功率MOSFET的结构、工作原理及应用

本文将介绍功率<span class="highlight">MOSFET</span>(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。...
2014-04-16

车用MOSFET:寻求性能与保护的最佳组合

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件<span class="highlight">MOSFET</span>必须...

车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件<span class="highlight">MOSFET</span>必须...

功率器件的新时代汽车电子功率MOSFET技术

过去15到20年间,汽车用功率<span class="highlight">MOSFET</span>已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率<span class="highlight"...

详细介绍如何运用MOSFET实现完美安全系统

汽车上许多组建的多元应用,从车上的灯泡到继电器、从LED显示照明到启动马达,不仅提供了各式各样的高负载型、低成本效益的解决方案,

基于混合SET/MOSFET的比较器

据2001 年的国际半导体技术未来发展预示,到2016 年<span class="highlight">MOSFET</span>s 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]...