我国拟打造第三代半导体研发及产业化创新平台

   日期:2016-09-22     来源:中国仪表网    评论:0    
核心提示:据中国电子信息产业集团有限公司(以下简称“中国电子”)消息,近日,彩虹蓝光-北京大学协同创新中心签约仪式在安徽合肥举行。双方将携手打造我国第三代半导体研发及产业化的重要创新平台。

据中国电子信息产业集团有限公司(以下简称“中国电子”)消息,近日,彩虹蓝光-北京大学协同创新中心签约仪式在安徽合肥举行。双方将携手打造我国第三代半导体研发及产业化的重要创新平台。

 

半导体作为在常温下介于导体和绝缘体之间的材料,广泛应用于测温等领域。随着社会的不断发展,半导体不论是在科技或是经济方面,都具有巨大的作用。为谋求半导体产业高地,世界各国纷纷加快研究步伐。其中,以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。

此次安徽合肥携手中国电子,着手打造彩虹蓝光—北京大学协同创新中心,也是积极部署第三代半导体创新高地,落实科技强国战略,助力我国创新产业发展的表现。

据悉,此次彩虹蓝光-北京大学协同创新中心的建设将分为两期,先期将重点放在人才引进以及实验室硬件条件打造上,同时以电子材料和器件技术研发为重点,逐步打造我国第三代半导体研发平台。

 
  
  
  
  
 
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