第三代半导体材料之所以备受青睐,在于其广泛的应用价值,无论是在军用领域还是民用市场,都是各国争夺的科技制高点。利用第三代半导体材料制造微波器件,可显著降低功率转换损耗,提高极限工作温度。目前,该类微波器件已开始用于军用雷达、智能武器和通信系统等方面。

在国家863计划的支持下,由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头,中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备

宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料,禁带宽度大于2eV,这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。

据中国电子信息产业集团有限公司(以下简称“中国电子”)消息,近日,彩虹蓝光-北京大学协同创新中心签约仪式在安徽合肥举行。双方将携手打造我国第三代半导体研发及产业化的重要创新平台。

随着国外产业高速发展的刺激,加上国内政策方面的支持,国内的产业即将突破黎明前的黑暗。