赛普拉斯推出高容量视频帧缓冲器

   日期:2013-11-18    
核心提示:赛普拉斯半导体公司日前宣布量产高容量视频帧存储器。这一72-Mbit的器件源自于赛普拉斯领先业界的SRAM技术,以先进先出(FIFO)存储器的形式工作,同时还有独立的读写端口,以便更快地传输数据。

为了满足市场上日益增长的对宽带视频缓冲的需求,赛普拉斯半导体公司日前宣布量产高容量视频帧存储器。这一72-Mbit的器件源自于赛普拉斯领先业界的SRAM技术,以先进先出(FIFO)存储器的形式工作,同时还有独立的读写端口,以便更快地传输数据。该视频缓冲器具有基于SRAM的简单接口,便于使用和调试,能够加快产品上市进程,降低工程费用。

 


高清视频在医疗和军事中的应用越来越广泛,在消费类市场上也迅速普及。全新的CYFB0072视频帧缓冲器可以有效替代市场上现有的基于标准DRAM的 FIFO存储器。这一新器件可提供更好的信号完整性,最高工作频率可达133 MHz,数据吞吐能力为 4.8 Gbps。这些都是对视频帧缓冲的一般性要求。赛普拉斯的视频帧缓冲器能在任何需要在不同的时钟域(clock domain)之间进行高速视频缓冲的系统内工作,因而是多种视频和图像处理应用的理想选择,例如高清摄像机的画中画及隔行扫描、广播设备中的扫描速率转换、医疗设备中的图像扫描和增强,以及军用系统中的雷达和声呐等。

赛普拉斯存储产品事业部高级业务总监Sunil Thamaran说:“随着宽带视频应用在多个市场中的盛行,赛普拉斯新的视频帧缓冲器将帮助设计者们将更高性能的产品更快地投放市场。这个器件比基于 DRAM的FIFO更稳定,性价比更高,能够满足快速增长的视频缓冲需求。”

72-Mbit视频帧缓冲器的总线宽度为36 比特。与基于DRAM的缓冲解决方案不同,它可在-40 °C 到 +85 °C的工业温度范围内工作,且无需外部晶振。该器件采用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)工艺制造,CYFB0072V33L器件支持3.3V工作电压,而CYFB0072V18器件则支持1.8V工作电压。

 
  
  
  
  
 
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