Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB

2015-03-20 14:15 新产品   

导读Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的导通电阻。  

Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay SilicoNIx Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的导通电阻

 

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Si8410DB适合用作电源管理应用里的负载开关、小信号开关和高速开关,导通电阻极低,在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻分别为37mΩ、41mΩ、47mΩ和 68mΩ。与采用CSP 1mm2封装的最接近竞争器件相比,这颗器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻小26%、32%、35%和27%。与DFN 1mm2封装的器件相比,Si8410DB在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻低32%、40%、48%和43%。器件的低导通电阻,导通电压低至1.5V,加上±8V VGS,使锂离子供电的应用能实现安全裕量、灵活的栅极驱动设计和高性能。

Si8410DB具有30mΩ/mm2的极低导通电阻,比最接近的1mm2塑料封装的20V MOSFET低20%,在移动应用里能够节省空间并减少电池功耗。器件的低导通电阻意味着在直流和脉冲峰值电流时的电压降非常低,以热的形式浪费掉的电能更少。更低的导通电阻和更低的热阻,使Si8410DB的温升比仅次于这颗芯片的采用CSP和1mm2封装的器件分别低45%和144%。

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