意法半导体推出降低了导通电阻的60V耐压功率MOSFET
降低了<span class="highlight">导通电阻</span>的+60V耐压的功率MOSFET“STripFET F7 MOSFET系列”。该系列属于n沟道型，不仅降低了<span class...
Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8824ED...
Vishay推出新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET
Vishay发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向...
Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET进一步提高可靠性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60E...
麦瑞半导体推出超小尺寸智能开关
麦瑞半导体公司 (Micrel, Inc.) 推出采用小尺寸2mm x 2mm QFN(方形扁平无引脚)封装的 3A 电源 ORing 智能开关 MIC1344 。 MIC1344...
Vishay推出新款40V TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V TrenchFET®功率MOSFET-...
Vishay推出新款40V TrenchFET功率MOSFET
Vishay发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK 8x8L封装40V TrenchFET功率MOSFET-SQJQ402E，目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装，...
Vishay推出新款20V芯片级MOSFET
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间，降低功耗，并延长电池使用时间。...
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间，降低功耗，并延长电池使用时间。...
Diodes推出两款同步整流器
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款同步整流器APR3415及APR34330，满足市场对提高便携式充电器集成度和效率的要求。新器件把驱动电路与内部...
Diodes微型场效应晶体管节省40%空间
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的...
Diodes芯片级双向MOSFET节省空间，有效提高锂电池容量
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低<span class="highl...
TI推出NexFET N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻
德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低<span class="highlight">导通电阻</span>并采用QFN 封装的2...
德州仪器推出11款新型NexFET N沟道功率MOSFET
德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低<span class="highlight">导通电阻</span>并采用QFN 封装的2...
Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开...
Diodes推出OR'ing控制器 提升不间断电源可靠性
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品...
新推出具有超低导通电阻的表面贴装75V MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动...
IR新增StrongIRFET MOSFET系列成员
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多...
IR新型功率MOSFET为小功率电机提供基准性能
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出两款40V车用COOLiRFET功率MOSFET 产品——AUIRFN8...
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650...
IR新增19款60V StrongIRFET功率MOSFET
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多种标准和高...
IR新款汽车级COOLiRFET功率MOSFET——AUIRFN8403
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极...
IR新型大罐式DirectFET MOSFET具备极低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低<span cl...
Vishay产品荣获“功率元器件”类最佳应用奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂...
安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪
安捷伦科技公司(NYSE：A)日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪 Agilent B1506A。B1506A 能够在不同工作条件和 -50 °C 至 +2...
Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。V...
Vishay新增P沟道TrenchFET功率MOSFET SiA453EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA45...
Vishay推出应用在便携电子产品中的导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道Trenc...
IR推出具有超低导通电阻的60V MOSFET以满足工业应用需求
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动...
IR StrongIRFET系列新增20V至30V器件
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至...
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