IBM推出专为大中型企业而设计的新的全闪存存储解决方案
IBM日前宣布推出专为大中型企业而设计的新的全<span class="highlight">闪存</span>存储解决方案，以满足对这些企业而言至关重要的高可用性...
赛普拉斯NOR闪存系列新增64Mb和128Mb产品
全球领先的嵌入式解决方案提供商赛普拉斯半导体公司(纳斯达克交易代码：CY)近日宣布其配备四串行外设接口(Quad SPI)的NOR<span class="highligh...
泰克为开放的NAND闪存接口(ONFI)标准推出业内第一个测试解决方案
全球领先的测量解决方案提供商——泰克公司日前为开放的NAND<span class="highlight">闪存</span>接口(ONFI)标准推出业内第一个测试解决方案。O...
美超微推出其最新虚拟化优化型服务器和存储系统
全新全 NVMe <span class="highlight">闪存</span> VSAN 解决方案基于 1U Ultra SuperServer® 1028U-TN10RT+，凭借业界率先上市...
博科推出第六代光纤通道导向器专为全闪存的数据中心
大数据时代正在改变人类利用IT的工作方式。作为革命性的存储技术，<span class="highlight">闪存</span>正以遥遥领先传统存储设备访问速度的...
华虹半导体90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产
全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司今天宣布公司90纳米嵌入式<span class="highlight">闪存</span>(eFlash)工艺平台已成...
旺宏推出首款航太专用快闪存储器
全球非挥发性记忆体(NVM)领导厂商旺宏电子今宣布针对XilinxR 7系列 UltraScale™ FPGAs平台推出全新高效能Quad SPI NOR 快闪记忆体，未来将用...
赛普拉斯业界最快的HyperFlash NOR闪存推出新款产品
全球嵌入式系统解决方案领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，推出一款256Mb NOR HyperFlash™ 产品。该器件为3.0V S26KL256S HyperFlash， 是业...
华虹半导体最新推出0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台
华虹半导体有限公司最新推出0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式<span class="highlight">闪存</span>(eFlash)和电可擦可编程...
ST推出新一代内置闪存的汽车微控制器 提升汽车安全性能
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出新款多核微控制器，旨在大幅提升汽车的安全性。新产品是首批采用意法半导体独有的40nm嵌入式<span clas...
三星量产128GB eMMC 采用3bit闪存颗粒
近来，旗舰机的内置存储空间开始逐渐向基于UFS 2.0或eMMC 5.1标准的128GB过渡。受此影响，主流市场的智能手机存储容量虽然仍集中在32GB/64GB，但...
意法半导体(ST)推出闪存容量高达512KB的STM32F3微控制器
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的STM32F3系列微控制器再添新产品，满足市场对高性能、创新功能和价格实惠的需求。新微控制器的片上存储容...
东芝推出全球最小级别的嵌入式NAND闪存产品
东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND<span class="highlight">闪存</span>产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片...
HOLTEK新推极具成本效益的闪存微控制器
HOLTEK新推出HT66F002/003、HT68F002/003 Cost-Effective Flash MCU with EEPROM继推出HT4xR002/003 OTP Type MCU系列之后，Holtek再度推...
赛普拉斯向UMC授权SONOS嵌入式闪存技术
嵌入式非易失性存储解决方案领导者赛普拉斯半导体公司与全球领先的半导体代工厂联华电子公司日前联合宣布，UMC获得了赛普拉斯SONOS(氧化硅氮氧化硅)...
微芯具更大闪存和RAM的新系列单片机问市
全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和<span class="highlight">闪存</span>专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(...
闪迪发布iNAND Standard嵌入式闪存驱动器
全球领先的<span class="highlight">闪存</span>存储解决方案供应商闪迪公司日前面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布...
瑞萨电子研发出业内首创28nm微控制器嵌入式闪存工艺
全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社日前宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的28纳米(nm)<span class="hig...
东芝推出新型嵌入式NAND闪存模块
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND<span class="highlight">闪存</span>模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二...
第三代LSI SandForce SSD控制器推高闪存性能
LSI公司日前宣布市场领先的SandForce<span class="highlight">闪存</span>控制器产品系列推出第三代。这项业界最广泛部署的<span class="high...
全新LSI SandForce SSD控制器推高闪存性能
LSI公司的SandForce<span class="highlight">闪存</span>控制器产品系列推出第三代。这项业界最广泛部署的<span class="highlight">闪存<...
东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块
东芝公司推出新型嵌入式NAND<span class="highlight">闪存</span>模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的...
Emulex推出第五代光纤通道闪存服务技术
网络连接、监控和管理领域的领导者Emulex公司(NYSE:ELX)日前宣布推出全新第五代光纤通道(FC)<span class="highlight">闪存</span>服务(Flash...
LSI发布SandForce闪存控制器创新技术
LSI 公司发布其最新LSI SandForce<span class="highlight">闪存</span>控制器的创新技术， 并在近期举行的美国加州<span class="highligh...
三星电子首创45nm嵌入式闪存工艺，数据读取时间缩短50%
三星电子成功开发业界首款45nm嵌入式<span class="highlight">闪存</span>(Embedded Flash 或 eFlash, 内置型<span class="highlight...
德州仪器推出首款应用于严苛环境的4MB闪存器
德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款应用于严苛环境的高温非易失性(nonvolatile)<span class="highlight">闪存</span>器，该 SM28VLT32-HT...
2012-11-26
德州仪器推出业界首款应用于严苛环境的4MB闪存器
2012-11-26
IDT推出NVM Express企业级闪存控制器
2012-08-22
爱特梅尔推出嵌入式闪存微控制器产品
2012-07-10
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