罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
引言近年来，为了实现碳中和等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车(xEV)，从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其...
2022-03-09
意法半导体推出高效超结MOSFET，瞄准节能型功率转换拓扑
2018年12月14日，意法半导体推出MDmesh系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。
凌力尔特推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 <span class="...
Allegro MicroSystems, LLC推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC宣布推出两款全新N沟道功率<span class="highlight">MOSFET</span>驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的<span class="h...
2017-08-03
ADI推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 <span class="...
英飞凌展出1200V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)...
意法半导体推出采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热封装的MOSFET晶体管
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的<span class="highlight">MOSFET</span>晶体管，新产品可提高汽车系统电控单...
意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管
意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率<span class="highlight">MOSFET</span>管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，...
Diodes推出三款闸极驱动器 简化半桥组态下两部N沟道MOSFET或两部IGBT的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 <span class="highlight">MOSFE...
Diodes推出专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接N沟道MOSFET的新产品
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 <span class="highlight">MOSFET<...
Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率<span class="highlight">MOSFET</sp...
Diodes推出ZXGD3112N7有源OR'ing MOSFET控制器
Diodes公司推出的ZXGD3112N7有源OR'ing <span class="highlight">MOSFET</span>控制器，扩展了对具有高达±400V的轨电压的冗余电源系统的...
意法半导体推出采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用...
英飞凌推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术
英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)<span class="highlight">MOSFET</span>技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有...
2016-05-12
Diodes推出30V MOSFET 使大容量电容器能够在FPGA安全放电
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道<span class="highlight">MOSFET</span>作为开关使用，确保在现场可编程...
Diodes推出全新100V MOSFET 优化以太网供电应用
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG <span class="highlight">MOSFET</span>作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供...
意法半导体推出降低了导通电阻的60V耐压功率MOSFET
降低了导通电阻的+60V耐压的功率<span class="highlight">MOSFET</span>“STripFET F7 <span class="highlight">MOSFET</span>系...
安森美推出14款车载半导体芯片，包括电源IC和MOSFET等
美国安森美半导体公司于2015年8月6日发布消息称，推出了14款车载设备用半导体芯片，包括三款满足M-LVDS(Multipoint-Low Voltage Differential Signa...
Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET 20V N沟道<span class="high...
Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和<span class="highlight">MOSFET</span>...
Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器 在小尺寸逆变器中有效节省空间
Vishay 推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和<span class="highlight">MOSFET</span>驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占...
英飞凌推出全新的CoolMOS C7系列超结（SJ）MOSFET
英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS C7系列超结(SJ)<span class="highlight">MOSFET</span>家族。该600V系列相比CoolMOS CP可减少50%的...
Vishay推出新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET
Vishay发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率<span class="highlight">MOSFET</span>---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay ...
Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET进一步提高可靠性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率<span class="highlight">MOSFET...
凌力尔特推出20A热插拔控制器 集成 MOSFET 和电流检测功能
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出20A 热插拔 (Hot Swap) 控制器 LTC4234，该器件具集成的 <span class="highlight">MO...
Fairchild推出符合汽车标准的SuperFET II MOSFET和高压整流器
Fairchild 正在满足车辆制造商和零配件供应商的高级需求，其新的SuperFET II <span class="highlight">MOSFET</span>和高压整流器产品系...
Vishay推出新款40V TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V TrenchFET®功率<span clas...
Vishay推出新款40V TrenchFET功率MOSFET
Vishay发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK 8x8L封装40V TrenchFET功率<span class="highlight">MOSFET</span>-SQJQ402E，目的是为汽...
Vishay推出新款20V芯片级MOSFET
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道<span class="highlight">MOSFET</span>---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动...
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET---Si8410DB
Vishay推出新的TrenchFET 20V N沟道<span class="highlight">MOSFET</span>---Si8410DB，在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动...
热门文章
热点排行
