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英飞凌推出最高电流达75 A的新产品系列

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管<span class="highlight">IGBT</span>产品组合阵容,推出最高电流达...

ADI小型隔离式栅极驱动器提供下一代电源开关技术解决方案

Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度...

Diodes推出三款闸极驱动器 简化半桥组态下两部N沟道MOSFET或两部IGBT的切换

Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304闸极驱动器,皆为浮点高侧驱动器,简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 <span class="high...

英飞凌推出一系列基于62mm封装的应用于低压和高压变频器

众所周知,变频器在工业领域应用非常广泛,而目前,在节能环保理念逐渐成为一种趋势的情况下,对变频器提出了更高的要求。基于对中国市场客户需求的理...

TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器

TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 <span class="highli...

意法半导体(ST)的先进碳化硅功率器件加快汽车电动化进程

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体在混动汽车和电动汽车(EV,Electric Vehicles)市场发布了先进的高能效功率半导体器件,同...

Vishay IGBT功率模块在TIG焊机中提高效率并降低传导损耗

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月19 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布4款专为TIG焊机设...
2016-01-19

赛米控推出无需外置传感器的高效的IGBT驱动器

近期,赛米控推出无需外置传感器的高效的<span class="highlight">IGBT</span>驱动器SKYPERPrime,SKYPERPrime适用于Semitrans10和PrimePACK...
2015-09-07

英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片

英飞凌科技股份公司近日发布一款采用可控逆导型<span class="highlight">IGBT</span>,在同一芯片上集成了<span class="highlight">IGBT<...

Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5A <span class="highlight">IGBT</span>和MOSFET...

Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器 在小尺寸逆变器中有效节省空间

Vishay 推出新的SMD封装的超薄2.5A <span class="highlight">IGBT</span>和MOSFET驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占...
2015-06-01

ADI推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器

Analog Devices, Inc.(ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出ADuM4135隔离式<span class="highlight">IGBT</span>...

Vishay的新款NTC热敏电阻管芯为用户提供与IGBT相同的安装方式

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布两个新的无引线NTC热敏电阻裸片---NTCC300E4和NTCC200E4,在上表面和下...

英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT

英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) <span class="highlight">IGBT</span>。此类<span class="highlight">IGBT</span> 专门针对 50H...

英飞凌推出推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT-L5系列

英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) <span class="highlight">IGBT</span>。此类<span class="highlight">IGBT</span>专...
2015-02-07

Vishay 推出新Trench IGBT平台

Vishay发布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench <span class="highlight">IGBT</span>(绝缘栅双极型晶体管)平台。Vishay Se...

IR发布混合动力汽车和电动车用600V IGBT

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日发布600V车用<span class="highlight">IGBT</span>产品...

ST推出全新M系列IGBT,有效提升太阳能及工业电源的能效和可靠性

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出全新M系列1200V <span class="highlight">IGBT</span>,以先进的沟栅式场截止技术 (trench-gate ...

Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的<span class="highlight">IGBT</span>模块功率半导体产品...
2014-11-20

IR发布全新第八代1200V IGBT平台

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (<span class="highlight">I...

IR推出全新650V IRGP47xx系列IGBT

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅...

IR全新超高速沟道IGBT系列为焊接应用作出优化

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管(<span c...
2014-08-20

ST最新1200V IGBT大幅提升应用能效

意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(<span class="highlight">IGBT</span>,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式...

Littelfuse发布新款IGBT和整流器二极管模块

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路<span class="highlight">IGBT</sp...

IR新增多款600V节能沟道IGBT

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (<span class="high...

ST HB系列IGBT有效提升能效、安全性和可靠性

意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管(<span class="highlight">IGBT</span>,Insulated-Gate Bipolar Transistors)拥有比竞争对手的高...

Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款<span class="highli...

Vishay发布用于高压应用的宽体IGBT和MOSFET驱动器

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新...

IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (<span class="highlight">IGBT</span...

英飞凌针对感应加热应用新推逆导IGBT

英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关<span class="highlight">IGBT</span>(绝缘栅双极...
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