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手机EOS保护方案如何通过350V的测试?

2017-08-22 11:05:38

[导读] 自从OPPO 手机的快充作为卖点,大家都觉得满足了自己的很大需求,快充电流从1A到2A , 到目前已经在测试的5A,手机快充的需求日益增长,然而满足快充的产品确要通过很多严格的EOS测试,近来越来越来的客户产品关注EOS的测试,而且测试要求都是非常高,需要通过350V的测试,对普通的TVS ESD厂家来说,需要把产品封装控制在手机能接受的范围内,而且通过超高压的测试,真是高不可攀的目标。

自从OPPO 手机的快充作为卖点,大家都觉得满足了自己的很大需求,快充电流从1A到2A , 到目前已经在测试的5A,手机快充的需求日益增长,然而满足快充的产品确要通过很多严格的EOS测试,近来越来越来的客户产品关注EOS的测试,而且测试要求都是非常高,需要通过350V的测试,对普通的TVS ESD厂家来说,需要把产品封装控制在手机能接受的范围内,而且通过超高压的测试,真是高不可攀的目标。

leiditech针对快充芯片的各种电压、电流需求,研发出超小封装的DFN2020大功率产品,最大可以满足近400V的EOS的测试,而且可以满足VC小于大部分快充IC的耐受电压,是快充IC的得力助手。

对应信号线,推荐选用0402封装2路的器件leiditech ESDA05CP3,可以满足30KV的静电保护需求。

 

市场目前需求的三种电压4.5V 7V 和12V的芯片保护产品都在批量推出:

 

 

 

 

具体应用电路方案如下图

 

[整理编辑:中国测控网]
标签:  手机EOS[0]    静电保护[1]    IC[2]
 
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