静电放电是指产品在制造、运输与安装过程中，如果处理不当，产品会受到静电放电或者浪涌电压的冲击，从而造成产品的损伤或者破坏。

由于MOS<span class="highlight">FET</span>的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强...

基于超级结技术的功率MOS<span class="highlight">FET</span>已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式...

基于超级结技术的功率MOS<span class="highlight">FET</span>已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少...

自智能手机问世起，移动电源也一直亦步亦趋地跟随发展，从最初的单一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片还有到现在一体化的单芯片方案。本方案采用目...

在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以...

Vishay Siliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算、消费及照明市场的高压MOS<span class="highlight">FET</span>(HVM)。我们拥有电压范围...

回望在电子产品领域奋战的20年，我们已走过了漫漫长路。2015年正发布的组件具有无与伦比的精细度和集成度。处理器速度更快，发光二极管（LED）亮度更...

关于模块电源，其超高的功率密度一直被设计者们称道。但实现超高功率的同时，散热性能差的缺点也暴露出来，设计者们虽然能够对一些特定的设计进行改进...

打开这一年来半导体最热门的新闻，大概就属Fin<span class="highlight">FET</span>了，例如：iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新晶体管架...

隔离电源模块可以高效解决各种端口干扰，开关芯片转换出各种系统所需电压，LDO给MCU处理器提供稳定可靠的电能。电源模块与芯片方案需要互助互补，各取...

现在主要的代工厂都在生产Fin<span class="highlight">FET</span>晶体管，这些Fin<span class="highlight">FET</span>以创纪录的速...

近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOS<span class="highlight">FET</span>器件...

开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOS<span class="highlight">FET</span>由于开关速度快、易并联、所需驱动功...

高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容...

半导体行业目前面临集成电路(IC)制造方法的巨大变革，这一变革旨在不断提高IC的性能和密度，可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据f...

相比同等MOS<span class="highlight">FET</span>，IGBT具有较低的箝位能力。在IGBT和MOS<span class="highlight">FET</span>之间选...

本文将介绍功率MOS<span class="highlight">FET</span>(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。...

2008年1月，安全自动化领域的引领者—Pilz公司推出了两款基于全新技术的安全传感设备，分别是SafetyEYE和PSENvip。它们都采用了视觉技术，能够对所监...

　　摘　要：尼康公司的D2H单反数字相机中使用了一种新型的固体图像传感器LBCAST J<span class="highlight">FET</span>。该器件在读数方式...

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOS<span class="highlight">FET</span>必须...

工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOS<span class="highlight">FET</span>必须...

过去15到20年间，汽车用功率MOS<span class="highlight">FET</span>已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOS<span class="highlig...

汽车上许多组建的多元应用，从车上的灯泡到继电器、从LED显示照明到启动马达，不仅提供了各式各样的高负载型、低成本效益的解决方案，

据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOS<span class="highlight">FET</span>s 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]...