英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布已于奥地利菲拉赫(Villach)据点生产出首款300mm(12寸)薄晶圆之功率半导体晶片(firstsilicon)，成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300mm薄晶圆生产之晶片的功能特性，与以200mm晶圆制造之功率半导体相同，已成功通过在高压应用产品中使用金氧半导体场效电晶体(MOSFET)的应用测试证明。
在电晶体发明55年之后，英飞凌以革命性CoolMOS电晶体技术，荣获2002年德国工业创新大奖(GermaNIndustry’sInnovationAward)。高压电晶体，已在众多应用领域提升能源效率，如PC电源供应器、伺服器、太阳能电源转换器、照明与电信系统。这些节能晶片目前也是消费性电子装置的必要元件，如平面电视和游乐器。使用能源、节约能源且不失效率，已成为所有用电产业与家庭应用的首要需求。英飞凌的节能半导体解决方案，可节省高达25%的全球电力消耗。
2010年10月，英飞凌已在奥地利菲拉赫着手设立300mm晶圆及薄晶圆技术的功率半导体前导生产线。目前该团队拥有50名工程师和物理学家，来自研究、开发、制造技术及市场行销等各个领域。首颗300mm下线晶片，是英飞凌持续成功制造节能产品专用之功率半导体的推手。根据IMSResearch于今年8月提出的研究报告，英飞凌在2010年仍位居全球功率半导体市场龙头，并已连续第8年获此殊荣。
