东芝在IIC上展出了它刚实现量产的2百万CMOS图像传感器(像素间距为2.7μm)，该公司发言人表示，目前3百万CMOS图像传感器(像素间距为2.2μm)也已实现样产，5百万CMOS图像传感器(像素间距为1.75μm)则仍在开发之中。
东芝还展出了高清电视的双芯片(TC90400+TC90200)解决方案以及8Gb NAND型闪存(平均功耗为33毫瓦，主要用于文件存储)，下一步东芝准备开发16Gb NAND型闪存。为了在同一块芯片上同时提供NOR型和NAND型闪存，东芝采用了移动堆栈MCP封装技术，其集成的NOR型和NAND型闪存的容量分别为从32Mb到256Mb和从256Mb到4Gb，其9层堆栈的厚度(包括衬底)仅为1.4mm，5层堆栈厚度仅为1.0mm，最大外形为11×14mm，最小为7×10mm。
