IR StrongIRFET系列新增20V至30V器件

   日期:2014-04-09    
核心提示:全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作,在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中,可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗,使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“StrongIRFET系列经过扩充后,能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻,从而实现无可比拟的功率密度。”

与 DirectFET系列的其它器件一样,IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能,以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外,DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

 
  
  
  
  
 
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