安森美推出14款车载半导体芯片,包括电源IC和MOSFET等

   日期:2015-08-25    
核心提示:美国安森美半导体公司于2015年8月6日发布消息称,推出了14款车载设备用半导体芯片,包括三款满足M-LVDS(Multipoint-Low Voltage Differential Signaling)标准的线性驱动及接收IC、三款LDO稳压IC、八款功率MOSFET。

美国安森美半导体公司于2015年8月6日发布消息称,推出了14款车载设备用半导体芯片,包括三款满足M-LVDS(Multipoint-Low Voltage Differential Signaling)标准的线性驱动及接收IC、三款LDO稳压IC、八款功率MOSFET。满足M-LVDS标准的线性驱动及接收IC和LDO稳压IC 符合车载半导体集成电路的质量标准“AEC-Q100”,功率MOSFET符合车载分立半导体的质量标准“AEC-Q101”。

三款满足M-LVDS标准的线性驱动及接收IC的数据传输速度均为200Mbps,电源电压为+3.3V。“NAB3N200S”和 “NAB3N201S”配备了Type-I接收电路,阈值电压为±50mV,迟滞值为25mV,共模电压范围确保为-1~+3.4V。 “NAB3N206S”集成了Type-II接收电路,阈值电压为100mV,配备了检测总线开放状态和空闲状态的功能,共模电压范围为 -1~+3.4V。三款产品的封装均采用8端子SOP,工作温度范围为-40~+125℃,批量购买1万个时的美国参考单价均为0.73美元。

三款LDO稳压IC中,“NCV8154”是集成了2个稳压电路的双通道输出产品。最大输出电流为每通道300mA,输入电压范围为+1.9~5.25V,两个稳压电路分别配备了输入端子。每个通道的输出电压可在+1.8V、+2.8V、+3.0V和+3.3V等中选择。压差电压为 140mV(300mA输出时的标称值)。特点是输出电压噪声较低,电源纹波抑制比(PSRR)高达75dB。主要用途是向车载用信息娱乐系统配备的RF 块供应电源。封装采用安装面积为3mm×3mm的10端子DFN。批量购买1万个时的单价为0.14美元。

第二款LDO稳压IC是消耗电流仅500nA的“NCV8170”,主要用于无匙进入系统等。输入电压范围为+2.2~5.5V,输出电压可在+1.2~3.6V的范围内以0.1V为单位选择。最大输出电流为150mA,压差电压为170mV(150mA输出时的标称值)。封装备有4端子 XDFN和SOT-563。批量购买1万个时的美国参考单价方面,4端子XDFN封装品为0.125美元,SOT-563封装品为0.13美元。

第三款LDO稳压IC是最大输出电流为50mA的“NCV8715”。最大消耗电流为5.8μA,PSRR为52dB。主要用于向车载MCU供电。封装采用6端子XDFN。批量购买1万个时的美国参考单价为0.12美元。

八款功率MOSFET均为n沟道产品,特点是导通电阻低。主要用于车载设备配备的电源开关、负载开关和马达驱动电路等。八款产品中有四款为+40V耐压品。导通电阻方面,“NVMFS5C404NL”为0.56mΩ(标称值),“NVMFS5C410NL”为0.71mΩ(标称值),“NVMFS5C423NL”为1.6mΩ(标称值),“NVMFS5C442NL”为2.2mΩ(标称值)。其余四款产品为+60V耐压品。 “NVMFS5C604NL”的导通电阻为0.93mΩ(标称值),“NVMFS5C612NL”为1.2mΩ,“NVMFS5C646NL”为 3.8mΩ,“NVMFS5C670NL”为5.1mΩ。八款产品的封装均采用SO-8FL。批量购买5000个时的美国参考单价均为0.35~1.78 美元。

 
  
  
  
  
 
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