Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列可减少高速应用中的信号衰减和失真

2017-04-07 08:55 新产品   

导读Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出了针对可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供八通道超低电容常规模式和差分模式保护的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列产品。 SP8008系列低电容瞬态抑制二极管阵列可防范超过IEC 61000-4-2 ±8 kV接触ESD等级的ESD事件,同时避免任何性能减退。 极低的负载电容(仅为0.3pF,典型值)还让这些组件成为保护V-by-One、嵌入式DisplayPort、HDMI 1.0至2.1以及USB 2.0/3.0/3.  

保护V-by-One、嵌入式DisplayPort、HDMI 1.0至2.1、USB 2.0/3.0/3.1等快速信号引脚

Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出了针对可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供八通道超低电容常规模式和差分模式保护的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列产品。 SP8008系列低电容瞬态抑制二极管阵列可防范超过IEC 61000-4-2 ±8 kV接触ESD等级的ESD事件,同时避免任何性能减退。 极低的负载电容(仅为0.3pF,典型值)还让这些组件成为保护V-by-One、嵌入式DisplayPort、HDMI 1.0至2.1以及USB 2.0/3.0/3.1等高速信号引脚的理想选择,而且信号完整性不会受损。

SP8008系列的典型应用包括为LCD/PDP电视、LCD/LED显示器、笔记本电脑、超极本、汽车显示器、平板显示器、数字信号、高清摄像机/投影机以及USB和HDMI接口的高速接口保护。

“除了低负载电容和低动态电阻外,SP8008系列瞬态抑制二极管阵列还可以为电路设计师提供紧凑的组件选择。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列全球产品经理Tim Micun表示。 “其μDFN-14封装能够节省电路板空间,并支持数据线的直通路由。”

SP8008系列瞬态抑制二极管具备下列关键优势:

• 低负载电容(0.3pF,典型值)可降低高速应用的信号衰减和失真。

• 低动态电阻(0.4Ω)提供了低箝位性能以保持信号完整性,并最大限度地减少数据丢失,同时使设备在面临电气威胁时更加稳定可靠。

• 使制造商能够达到超出IEC标准中最高等级的ESD保护性能,并应对大量其他威胁,确保产品在实际使用中的可靠性。

供货情况

SP8008系列瞬态抑制二极管阵列提供表面安装式µDFN-14卷带封装,起订量3,000只。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。

 

标签:  Littelfuse[3]    二极管[7]    嵌入式[2]    ESD[4]
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