近日，美国纽约州立大学的机械与航空工程系开发了一种新型的传感器，它可以将硬盘的存储容量提高1000倍，而无需增加额外的成本。目前，硬盘的设计原理是，在磁盘上写入的数据位越小，磁场就会变得越弱，这使得探测和可靠读取硬盘上的数据的难度越大。美国纽约州立大学的两位研究人员发明了一种新型的磁传感器，它在室温下就可以感应到微小磁场变化，并产生非常大的电阻值变化（电阻值变化能使硬盘传感器辨别出数据位的“开”与“关”）。两位研究人员认为，该传感器可以使硬盘容量从现在的每英寸10～30Gb提升到每英寸若干Tb。
