ARM日前推出可驱动新一代节能型微控制器(MCU)发展的超低功耗实体IP数据库。ARM 0.18um超低功耗数据库(uLL)具备ARM Cortex处理器系列的内建电源管理优势，结合台积电0.18um嵌入式闪存uLL/HDR「high data retention」制程，可协助系统单芯片(SoC)设计人员进一步降低功耗漏损，幅度可达0.18um G实作的10倍。
对于习惯采用多MCU系统(multiple MCU system approach)的公司而言，ARM数据库及ARM Cortex-M与Cortex-R设定档处理器是理想选择。透过超低功耗单一32位MCU及针对台积电0.18um uLL嵌入式闪存/HDR制程最佳化的ARM数据库，设计人员可提升设计效率，并降低整体系统成本。
这个实体IP、处理器架构与尖端制造技术的超强组合，有助于开发强化的32位MCU，并可运用于汽车、消费性用品、感应器、照明、电子计量、智能型控制与游乐装置等应用。
台积电主流技术事业发展处长刘信生表示，台积电与ARM双方共同致力提供最佳化的设计与制造解决方案，以提供超低功耗、更节能的系统单芯片。ARM的独到之处在于能够整合台积电0.18um uLL制程适用的尖端处理器架构与最佳化实体IP，提供以功耗为首要考量的可携式装置与汽车市场适用的多功能解决方案。
ARM实体IP部门副总裁Tom Lantzsch表示，消费者期望行动装置与嵌入式装置具备更高效能、更多样化的使用者体验与更长的电池寿命。运用ARM的0.18um uLL数据库与Cortex处理器系列，客户即可透过完全符合晶圆厂特定数据库的单一32位MCU，达成设计与省电效能的最大化。此IP超强组合可加速开发新一代节能型嵌入式装置。
ARM低功耗内存与超高密度标准组件数据库适合以Cortex-M设定文件为基础的处理器，而ARM电源管理套件(PMK)可进一步发挥节能的优点。
PMK数据库可以多种方式大幅降低耗电，这些方式在多种电压下皆可支持功能区块动态运作，而功率闸极与隔离单元则支持休眠模式，并确保能够快速唤醒。这些数据库具备资料保留正反器(data-retention flip-flops)与随时开机单元。偏移单元可提供反偏压的连接，并且进一步减少漏损。所有的PMK数据库都能够达到最佳的节能效果。
ARM 0.18um uLL数据库与PMK可在ARM的DesignStart IP网站(http://designstart.arm.com/)下载
